外媒评麒麟9000S芯片：介于14nm和5nm之间，没有EUV痕迹

这几天，华为的Mate60横空出世，真的是把苹果、ASML、台积电都整懵了。

当然，真正把大家打懵圈的不是手机本身，而是这台手机使用的麒麟9000S芯片，代工厂未知，GPU核未知，工艺未知，甚至连CPU核都未知，但正是因为这么多未知，才掀起了大家的无限想象和猜测。

这不，连知名机构TechInsights都来凑热闹了，将这颗麒麟9000S芯片进行了一翻分析。

按照TechInsights的分析，麒麟9000S的芯片尺寸为 107 mm2，比麒麟9000(105mm2) 大2%。

而通过对芯片上的关键尺寸(CD)进行额外测量，发现这颗芯片比中芯国际的 14纳米工艺节点更先进，但很明显，临界尺寸(CD)比5nm芯片工艺节点更大。

所以TechInsights认为，这颗芯片具有7nm特性，简单的来讲，就是比14nm强，比5nm逊色，应该是7nm工艺，或等同于7nm工艺。

当然，TechInsights的分析，是不是真的，就见仁见智了，但想来还是非常具有参考意义的。

事实上，之前媒体曾多次报道称，在实现了14nm工艺后，中芯有N+1工艺，这个是等同于10nm工艺，还有N+2工艺，这个是等同于7nm的。而TechInsights认为，这可能就是N+2工艺了。

然后，还有国外的媒体对麒麟9000S进行了封装级的拆解，然后表示这颗芯片没有EUV光刻机光刻过的痕迹，因为EUV光刻机和DUV光刻机进行光刻的话，留下的痕迹会不一样。

可能很多人还会有疑问，我们不是没有EUV光刻机么？怎么能制造出等同于7nm的芯片来？

其实如果大家去看看ASML的光刻机分类，就会发现其中浸润式光刻机，采用193nm波长的光源，但是在通过水的折射过，等效于134nm，再经过多次曝光之后，最高可以实现7nm工艺的。

所以没有EUV，也能搞定7nm芯片，没毛病，只不过多重曝光之下，良率会降低，成本会上升，所以用的少。不过，随着这颗芯片曝光，也有一些人也表现出了担忧，那就是接下来会不会迎来新一轮更严格的限制呢？毕竟没有EUV也能制造等同于7nm的芯片了，这应该是对方不愿意看到的事情啊，美国之前的计划，是锁死我们的芯片制造技术在14nm的，现在居然突破14nm了。

今天，同样的情况也发生在我国另一个领域，那就是雨伞界的“华为”。说到雨伞，很多人第一时间联想到的都是蕉下这些都是国际大品牌，没错，以前雨伞就是被这些外国品牌所垄断，随便一把雨伞都上千，只能是适合手里有闲钱的人或者工作一族使用。

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他和很多刚开始创业的年轻人一样，从不被看好，也遇到过一次又一次的打击。但是越挫越勇的他终于用实力"打脸"那些当初瞧不起他的人！

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1、反光条设计

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手柄处因为有了LED手电功能，黑漆漆的晚上，可以做应急照明使用。无论是大人还是小孩都很需要！

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优质高密度伞布，一甩、一抖就干了

采用优质的高密度泼水伞布，可以做到让雨水瞬间滑落，一甩即干。

雨伞收起来时，内部没有雨淋的地方，会翻折成外部，伞的湿面被包裹在内，这样就完全杜绝伞弄湿家里，车座的状况。

每把伞均经过21道工艺，7道水压测试， 即使是暴雨台风天，伞面也不会漏水渗水。

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