美国白宫总统顾问萨尔斯公开表示，中国在半导体设计能力方面最多只比美国落后两年，而这还是一种理想的想法。 中国这几年在半导体设计上确实进步很快，像华为海思的麒麟芯片、小米的玄戒O1芯片，都达到了国际先进水平。 尤其是小米玄戒O1，采用第二代3nm工艺，性能接近当代旗舰SoC，跑分和游戏表现都不错，这说明咱们在手机芯片设计上确实有了质的飞跃。 不过，萨尔斯的说法可能有点夸大。美国在半导体设计领域的积累太深了，从EDA工具到核心IP核，都掌握着绝对优势。 就拿EDA工具来说，全球74%的市场被美国三家公司垄断，中国虽然有鸿芯微纳等企业通过了三星5nm工艺认证，但整体上仍依赖进口，尤其是在3nm以下制程的设计工具上，国产EDA还存在明显代差。 比如，西门子EDA的Calibre工具占据全球芯片签核环节70%以上的份额，中国90%的芯片设计公司都离不开它，一旦被断供，后果不堪设想。 还有IP核，这是芯片设计的核心。中国在处理器IP、接口IP等领域还比较薄弱，自主化率仅为8.52%。 虽然神州龙芯、芯原股份等企业在CPU、GPU等IP核的开发上取得了一定进展，但像ARM这样的国际巨头仍占据主导地位。RISC-V虽然为中国提供了换道超车的机会，但生态建设还需要时间。 人才方面，中国半导体行业预计2024年人才缺口达23万人，而美国也面临人才短缺，但人家有更成熟的培养体系和国际吸引力。中国虽然加大了高校集成电路专业的建设，但高端人才的培养周期长，短期内难以弥补缺口。 政策支持上，中国政府确实投入了大量资金，但效果参差不齐。一些地方政府盲目跟风，导致资源浪费和重复建设，而真正有技术实力的企业却得不到足够的支持。相比之下，美国通过《芯片与科学法案》等政策，集中资源支持龙头企业，效果更明显。 在高端芯片设计领域，中国虽然在AI芯片、服务器芯片等方面有突破，比如华为昇腾910B和睿思芯科的灵羽处理器，但与美国的英伟达H20、英特尔至强等产品相比，仍有差距。尤其是在生态建设和市场认可度上，中国芯片还需要时间来证明自己。 综合来看，中国在半导体设计领域确实取得了显著进步，某些领域已接近国际先进水平，但整体上仍落后美国3-5年。萨尔斯的说法可能有政治动机，旨在强调中国的威胁，从而推动美国加大对半导体产业的投资。 我们既要看到自己的进步，也要清醒认识到差距，尤其是在EDA工具、核心IP核、人才储备等关键环节，还需要持续努力，才能真正实现半导体产业的自主可控。 参考资料 ： 联合早报：《特朗普顾问:中国半导体设计能力最多落后美国两年》