理想自研 SiC 芯片团队在日本发了一篇行业顶会论文，看了的解读，非常硬核......

我试着理解一下，理想正在尝试 SiC 器件层面进行深度的自研设计。他们基于对 30 万颗自研 SiC 芯片的大量测试数据，发现了一类「非常隐蔽」的问题芯片，虽然可以通过现有的测试标准，但在极端环境下会存在突然烧毁的风险。

一块小小的 SiC 芯片烧毁，会直接导致整个电驱损坏。

他们把芯片的击穿电压（BVDSS）​​ 表现与对应的碳化硅材料特性，以及芯片流片过程数据进行综合分析​，类似于用“CT机”全面透视，改变了过去仅靠单一数值（击穿电压符合标准就认为合格）的局限，识别出隐藏的问题芯片。

论文不仅分析了 SiC 是如何失效，为什么失效，而且提出了解决问题的根本路径——直接把手伸到碳化硅元胞结构上。理想采用的六边形元胞 SiC ，相比传统的条形和方形，导通电阻更小，导通面积更大，过流能力更强，但缺点是开关损失增加，效率不行。

但电动车的功率器件，开关频率需求并不高（通常在 20-100kHz），相比工业和通信电源的频率一般在500kHz以上，所以理想基于这个特点开发定制化的车用主驱 SiC，解决效率的问题，而且有针对性的攻克工艺制程。

这项技术最后会用在哪台车上呢，下个月去工厂探秘一下[doge]