美荷两国同时发声，对中国独立研发的光刻机技术给予了强烈批评 近期美荷两国接连发声，对中国独立研发的光刻机技术提出强烈批评，这番密集表态迅速在全球半导体行业引发关注。要知道，荷兰 ASML 公司长期占据全球高端光刻机市场超 80% 的份额，美国则在半导体设备核心技术领域掌握关键话语权，两国此时共同针对中国光刻机技术发声，背后牵扯着全球半导体产业链的复杂博弈。 事情的起因要从中国光刻机技术的突破说起。此前中国企业发布的 28 纳米 DUV 光刻机已实现稳定量产，不仅打破了国外企业在中高端光刻机领域的垄断，还将设备价格较国际同类产品降低约 30%，这一变化直接影响了全球光刻机市场的竞争格局。 数据显示，2025 年上半年中国本土光刻机出货量同比增长 120%，国内晶圆厂的国产光刻机使用率从去年的 15% 提升至 32%，越来越多的中国芯片企业开始优先选择本土设备。 荷兰 ASML 公司首先表达了不满，其 CEO 在行业论坛上称中国光刻机技术 “存在专利侵权风险”，还表示 “这种低价竞争会扰乱全球半导体设备市场秩序”。 事实上，ASML 此前一直对中国实施技术限制，不仅拒绝向中国出口 7 纳米及以下的 EUV 光刻机，还在 2024 年停止向中国提供部分 DUV 光刻机的核心零部件维修服务，试图通过技术封锁延缓中国半导体产业的发展。 如今中国自主研发的光刻机实现突破，ASML 的市场份额受到冲击，上半年其在华销售额同比下降 25%，这也是该公司首次公开对中国光刻机技术提出批评。 美国的表态则更具针对性，美国商务部官员在记者会上称中国光刻机技术 “可能被用于军事领域”，还表示 “将考虑进一步加强对半导体设备技术的出口管制”。 值得注意的是，美国早在 2023 年就出台了针对中国半导体产业的限制措施，禁止本国企业向中国出口先进半导体设备，还施压荷兰、日本等国跟随其政策。 但中国通过自主研发，在光刻机光源、精密机械等关键领域取得多项突破，28 纳米 DUV 光刻机的国产化率已达到 65%，其中核心部件 “双工件台” 的精度甚至达到了国际领先水平，这让美国的技术封锁效果大打折扣。 中国在光刻机技术研发过程中，始终坚持自主创新与合规发展。相关企业已累计申请光刻机相关专利超 2000 项，其中在光源系统、光刻胶涂覆等关键领域的专利数量已进入全球前三位。 为了避免专利纠纷，中国企业还建立了专业的专利检索团队，对每一项技术创新都进行全面的专利排查，确保所有技术都符合国际知识产权规则。国内半导体行业协会也明确表示，中国光刻机技术的发展 “旨在满足国内芯片市场的合理需求，不会对全球半导体产业链造成冲击”。 从全球半导体产业发展来看，中国光刻机技术的突破其实有利于推动行业竞争。长期以来，ASML 凭借垄断地位维持着高昂的设备价格，一台 EUV 光刻机售价高达 1.5 亿美元，且交货周期长达 18 个月，这让许多中小型芯片企业难以承受。 中国光刻机的出现不仅降低了设备成本，还加快了全球半导体设备的更新迭代速度，促使 ASML 在 2025 年推出了更具性价比的改进型 DUV 光刻机，试图重新夺回市场份额。 这场由美荷两国引发的对中国光刻机技术的批评，本质上是全球半导体产业格局调整过程中的必然现象。中国通过自主研发实现技术突破，不仅提升了本国半导体产业的竞争力，也为全球半导体产业链的多元化发展注入了新动力。对此，你们有什么看法，欢迎评论留言～
