北京大学彭海琳教授团队联合多机构在《自然・通讯》披露重大成果，首次利用冷冻电子断层扫描技术，解析出光刻胶分子在液相环境中的亚纳米级三维结构，成功开发出缺陷控制产业化方案，使12英寸晶圆光刻缺陷率降幅超99%，为7纳米以下先进制程量产扫清关键障碍。 这项技术的突破是历史性的跨越，将生物学领域的冷冻电镜断层扫描技术跨界应用于半导体材料研究，通过毫秒级急速冷冻“定格”显影液中光刻胶分子真实构象，攻克了传统技术无法原位观测液相微观行为的难题，这一创新被业界称为“给光刻胶分子拍三维身份证”。 这一成果也颠覆了“光刻胶聚合物均匀分散”的传统认知，发现其主要吸附于气液界面且易发生凝聚缠结的缺陷根源，彻底打开了显影过程的“黑匣子”，这种从“盲目试错”到“精准调控”的转变，标志着我国在光刻胶基础研究领域跻身国际领跑行列。 同时他提出的“抑制缠结+界面捕获”双策略，无需改造现有产线即可落地应用，预计2026年进入量产阶段，填补了国产高端光刻胶工艺优化的产业化空白。 彭教授团队的成果不仅是材料领域的胜利，更标志着我国半导体产业从“设备依赖”向“材料创新驱动”的战略转型，中国科技的命运终究是掌握在自己手中。 以上是小编个人看法，如果您也认同，麻烦点赞支持！有更好的见解也欢迎在评论区留言，方便大家一同探讨。
